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이번에 소개 드릴 제품은 MG300H1FL1 입니다. 

 

 

제품명 : TR 모듈 , IGBT 모듈

모델명 : MG300H1FL1
용   량 : 600V, 300A

제조사 : TOSHIBA

 

아래 제품을 판매 하고 있습니다. 필요 하신 분은 문의 전화 주세요 

 

제품 이미지 



아이지인터내셔날은  도시바 (TOSHIBA) 제품을 판매하고 있습니다.


Power Electronics 장치 간 통합 개발 낮은 전도 및 스위칭 손실 반도체는 장비 및 장비의 에너지 효율을 향상시키고 에너지 소비를 감소시킵니다


특징 :


1. The Collector is isolated from case.

2. With built-in free wheeling diode

3. High DC Current Gain
4. Low Saturation Voltage.







2018 년 10 월 현재 100V 급 MOSFET에서 전력 변환기의 효율 및 소형화를


주도하고 있습니다



Si Power devices processing 기술 저 전도 및 스위칭 손실 소자 구조 개발


디바이스 성능을 극대화하는 회로 및 제어 기술 차세대 전력 디바이스 (SiC, GaN) 업계 최고 수준의 저 온 저항 MOSFET







 

  

I.G 인터내셔날은 전력반도체 전문 업체로써 GTO, IGBT, SCR을 취급하며 

20년 이상을 꾸준히 성장한 회사입니다. 연락주시면 친절하게 설명해드리겠습니다.

상호 : 아이지인터내셔날 , ☎ 고객센터: 051) 319-2970,2877

( 휴대폰 010-3582-2743 최인영 대표 )   

 


Posted by 아이지인터내셔날 탐색시간

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이번에 소개 드릴 제품은 MG500Q1US2 입니다.

 

  

제품명 : IGBT (Insulated Gate Bipolar mode Transistor)

모델명 : MG500Q1US2
용   량 : 1200V, 500A

제조사 : TOSHIBA

 

아래 제품을 판매 하고 있습니다. 필요 하신 분은 문의 전화 주세요 

 

아이지인터내셔날은 도시바 (TOSHIBA) 제품을 판매하고 있습니다.

 

제품 이미지   



 


Power Electronics 장치 간 통합 개발 낮은 전도 및 스위칭 손실 반도체는 장비 및 장비의 에너지 효율을 향상시키고 에너지 소비를 감소시킵니다

2018 년 10 월 현재 100V 급 MOSFET에서 전력 변환기의 효율 및 소형화를

주도하고 있습니다

Si Power devices processing 기술 저 전도 및 스위칭 손실 소자 구조 개발

디바이스 성능을 극대화하는 회로 및 제어 기술 차세대 전력 디바이스 (SiC, GaN) 업계 최고 수준의 저 온 저항 MOSFET


데이터시트 


 

 

  

I.G 인터내셔날은 전력반도체 전문 업체로써 GTO, IGBT, SCR을 취급하며 

20년 이상을 꾸준히 성장한 회사입니다. 연락주시면 친절하게 설명해드리겠습니다.

상호 : 아이지인터내셔날 , ☎ 고객센터: 051) 319-2970,2877

( 휴대폰 010-3582-2743 최인영 대표 )   

 

 

Posted by 아이지인터내셔날 탐색시간

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이번에 소개 드릴 제품은 MG100H2CL1 입니다. 

 

 

제품명 : TR 모듈

모델명 : MG100H2CL1
용   량 : 600V, 100A

제조사 : TOSHIBA

 

아래 제품을 판매 하고 있습니다. 필요 하신 분은 문의 전화 주세요 

 

아이지인터내셔날은 도시바 (TOSHIBA) 제품을 판매하고 있습니다.

 

 

제품 이미지 



 

Power Electronics 장치 간 통합 개발 낮은 전도 및 스위칭 손실 반도체는 장비 및 장비의 에너지 효율을 향상시키고 에너지 소비를 감소시킵니다 


데이터시트 


   


2018 년 10 월 현재 100V 급 MOSFET에서 전력 변환기의 효율 및 소형화를

주도하고 있습니다



Si Power devices processing 기술 저 전도 및 스위칭 손실 소자 구조 개발

디바이스 성능을 극대화하는 회로 및 제어 기술 차세대 전력 디바이스 (SiC, GaN) 업계 최고 수준의 저 온 저항 MOSFET

  

 

  

I.G 인터내셔날은 전력반도체 전문 업체로써 GTO, IGBT, SCR을 취급하며 

20년 이상을 꾸준히 성장한 회사입니다. 연락주시면 친절하게 설명해드리겠습니다.

상호 : 아이지인터내셔날 , ☎ 고객센터: 051) 319-2970,2877

( 휴대폰 010-3582-2743 최인영 대표 )   

 

 

Posted by 아이지인터내셔날 탐색시간

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이번에 소개 드릴 제품은 MG200H1AL2 입니다.  

 

 

제품명 : TR 모듈

모델명 : MG200H1AL2
용   량 : 600V, 200A

제조사 : TOSHIBA

 

아래 제품을 판매 하고 있습니다. 필요 하신 분은 문의 전화 주세요 

 

MG200H1AL2,  MG200H1FL1A

 

제품 이미지

   

 

 

 Power Electronics 장치 간 통합 개발 낮은 전도 및 스위칭 손실 반도체는 장비 및 장비의 에너지 효율을 향상시키고 에너지 소비를 감소시킵니다.

 

 

 

 

2018 년 10 월 현재 100V 급 MOSFET에서 전력 변환기의 효율 및 소형화를

주도하고 있습니다

 

 

 

 

 

Si Power devices processing 기술 저 전도 및 스위칭 손실 소자 구조 개발

디바이스 성능을 극대화하는 회로 및 제어 기술 차세대 전력 디바이스 (SiC, GaN) 업계 최고 수준의 저 온 저항 MOSFET

 

 

 

  

I.G 인터내셔날은 전력반도체 전문 업체로써 TR 모듈, GTO, IGBT, SCR을 취급하며 

20년 이상을 꾸준히 성장한 회사입니다. 연락주시면 친절하게 설명해드리겠습니다.

상호 : 아이지인터내셔날 , ☎ 고객센터: 051) 319-2970,2877

( 휴대폰 010-3582-2743 최인영 대표 )   

 

Posted by 아이지인터내셔날 탐색시간
TAG tr, 도시바

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이번에 소개 드릴 도시바가 생산하는 IGBT 제품은 입니다.

 

 

 

제품명 : IGBT(Insulated Gate Bipolar mode Transistor)

모델명 : MG360V1US41
용   량 : 360A, 1700V

제조사 : TOSHIBA, Mitsubishi Electric, Powerex

 

아래 제품을 판매 하고 있습니다. 필요하신분은 문의 전화 주세요 

 

제품 이미지   

 

 


Powerex는 IGBT 및 IPM (Intelligent Power Modules) 분야의 세계적인 선두 주자인 미쓰비시 (Mitsubishi)가 50 %의 소유주로서 고객들에게 기존의 공급망 및 최첨단 기술에 대한 접근성을 제공 할 수 있게 되었습니다.


데이터시트 




 

  

I.G 인터내셔날은 전력반도체 전문 업체로써 GTO, IGBT, SCR을 취급하며 

20년 이상을 꾸준히 성장한 회사입니다.

상호 : 아이지인터내셔날 , ☎ 고객센터: 051) 319-2970,2877

(지금 바로 전화주세요 010-582-2743 최인영 대표)   

 


Posted by 아이지인터내셔날 탐색시간

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