Mitsubishi silicon npn power transistors QM50TB-H
Mitsubishi Electric Semiconductor
QM50TB-H
Darlington Three-Phase Bridge
Isolated Case (Y/N)=Yes
Circuits Per Package=1
V(BR)CEO (V)=600
V(BR)CBO (V)=600
I(C) Abs.(A) Collector Current=50
Absolute Max. Power Diss. (W)=310
h(FE) Min. Static Current Gain=75
@I(C) (A) (Test Condition)=50
@VCE (test)=2.0
V(CE)sat Max.(V)=2.0
@I(C) (A) (Test Condition)=50
t(r) Max. (s) Rise time=1.5u
t(f) Max. (s) Fall time.=15u
Package=Module-s/q
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