IGBT소자와 SCR소자의 차이점

구분	IGBT	SCR	비고
용어	Insulated Gate Bipolar Transistor	Silicon Controlled Rectifier
개발연도	1980년도	1950년도
구동	전압구동	전류펄스 구동
구동특징	ON/OFF가능	ON가능하나 자체적인 OFF는 불가	SCR은 보호회로 작동불불가
단락보호	100µS단락가능	단락시에 파괴	IGBT는 단락 보호회로 가능
최대스위칭주파수	100KHz	10KHz	수십KHz에서도 고효율 가능
dv/dt제한	없음	있음	전압스너버 필요
di/dt제한	없음	있음	전압스너버 필요
패키지	모듈형	디스크형	IGBT는 비전문가도  조립가능

 

IGBT와 SCR의 비교할 수 없는 첫 번째 큰 차이는 스위칭 속도의 차이이다.

스위칭속도란 소자를 ON/OFF하는데 걸리는 시간을 말하는데 시간이 많이

걸릴수록 소자의 손실이 증가하게 되어 각 소자에는 가능한 최대 스위칭

주파수가 정해져 있다. IGBT는 스위칭 속도에서 SCR보다 10배 이상 빠르다.

작은 용량의 IGBT인 경우에는 최대 200kHz까지 스위칭이 가능하다.

 

IGBT와 SCR의 두 번째 큰 차이는 SCR은 자체적인 OFF이 불가능 하다는 것이다.

이 말은 SCR에서는 소자를 파괴할 수 있을 정도의 과전류가 검출되어도 보호회로를

동작시킬 수 없다는 의미가 되어 잦은 파괴의 원인이 된다. 반면에 IGBT는 약10uS

정도의 단락에서도 소자가 파괴되지 않는 것을 제조사가 보증한다. 

이때 정격전류의 여러 배에 해당하는 큰 전류가 흘러도 10uS 이내에 보호회로를

동작시키면 소자는 안전하게 보호되는 것이다. 이 특징으로 인해 IGBT 인버터가

고장이 적어지게 되는 것이다.